삼성전자, 차세대 비휘발성 메모리 기술 특허 획득! 뉴로모픽 AI 반도체의 미래

 

삼성전자-하버드 공동 특허 승인 캡처-USPTO

👋 인삿말

안녕하세요, 블로거 ouragil입니다 😊

최근 반도체 업계에서 엄청난 뉴스가 하나 전해졌죠. 바로 삼성전자와 하버드대학교가 공동 개발한 차세대 비휘발성 메모리 기술이 미국 특허청(USPTO)에서 특허 승인을 받았다는 소식입니다!

이 기술은 단순한 메모리 개선 수준이 아니라, 뉴로모픽 컴퓨팅과 AI 반도체의 미래를 바꿀 수 있는 핵심 기술로 평가받고 있어요. 오늘은 이 특허의 핵심 내용과 의미, 그리고 향후 시장에 미칠 영향까지 한 번에 정리해볼게요.

📌 특허의 개요

이번에 승인된 특허는 '비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법(Nonvolatile Memory Device And Operating Method Of The Same)'이라는 이름으로, 2023년 2월 출원되었고 2025년 4월 1일 공식 승인되었습니다. 특허번호는 US12268106B2입니다.

특허의 공동 주체는 삼성전자와 하버드대학교의 연구팀이며, 두 기관은 2019년부터 뉴로모픽 반도체 공동연구를 이어오고 있었죠.

💡 핵심 기술 – 저항 변화형 메모리 + 빛

이 기술의 핵심은 바로 '저항 변화형 메모리(Resistive Switching Memory)'에 빛(Light)을 결합했다는 점입니다.

• 기존 메모리는 전압을 통해 데이터의 저장과 삭제를 처리했지만,
• 삼성전자의 기술은 빛을 이용해 저항값을 변화시켜 데이터를 조절합니다.

이는 기존 방식보다 더 빠르고 에너지 효율이 높은 연산이 가능하다는 뜻이에요.

뉴로모픽 반도체 개념도 -인공지능신문

🧠 뉴로모픽 반도체에 최적화

해당 기술은 특히 뉴로모픽 컴퓨팅에 특화돼 있습니다. 뉴로모픽 반도체는 인간의 뇌 신경망을 모방한 구조로, 데이터 저장과 연산을 동시에 처리할 수 있는 혁신적인 기술이죠.

이번 특허는 특히 벡터-행렬 곱(Vector-Matrix Multiplication)과 같은 AI 연산에 최적화되어 있어, 딥러닝·엣지 컴퓨팅·자율주행 시스템에 폭넓게 적용될 수 있습니다.

🔍 기술적 특징 요약

• 빛 기반 저항 조절로 고속 연산 가능
• Crossbar Array 구조와 결합해 높은 집적도 실현
• RRAM, PCM 등 기존 차세대 메모리와 융합 가능
• 초저전력, 고속 AI 연산에 이상적

🌐 왜 중요한가? 삼성전자의 의미 있는 ‘선점’

삼성전자는 이 특허를 통해 뉴로모픽 AI 반도체 시장에서 기술 주도권을 잡게 됐습니다. 특히, AI 가속기·엣지 디바이스·자율주행차 등 고성능·저전력 컴퓨팅이 요구되는 분야에서 상용화 기대감이 큽니다.

또한, 하버드대와의 협업은 글로벌 연구 생태계와의 긴밀한 협력 기반을 입증하는 사례이기도 합니다.

🔮 향후 전망

전문가들은 이번 특허가 단순히 '기술력 확보'를 넘어, 삼성전자가 AI 시대 반도체 패러다임 전환을 주도할 수 있는 기회가 될 것이라고 보고 있습니다.

실제 상용화가 성공한다면, 해당 기술은 다음과 같은 산업군에 적용될 수 있어요:

• AI 가속기 칩셋
• 초저전력 IoT 디바이스
• 자율주행차 칩
• 웨어러블 의료 디바이스

📌 마무리

이처럼 삼성전자는 뉴로모픽 시대를 대비한 초고속, 초저전력, 고집적 메모리 기술을 확보함으로써, 향후 AI 반도체 경쟁에서 한 발 앞서 나가게 됐습니다. 앞으로 이 기술이 실제 상용화된다면, 우리가 만나는 디지털 기기들의 성능과 효율성도 크게 달라질 수 있겠죠.

앞으로의 행보가 정말 기대됩니다!